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电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
NC13120C-812
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
NC1676C-409
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
NC1687C-408
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
NC6532C-306
...

°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB
NC6533C-408
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:-dB
NC6521C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618
...

°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
NC6506C-618M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
NC6509C-812M
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
NC6509C-812A
...

°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
NC6536C-812
...

°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB
NC6537C-2224

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