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MEMS带通滤波器

频率:27.6-31.5GHz,中心频率插损:0.4dB
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MEMS带通滤波器

频率:26.1-26.5GHz,中心频率插损:2.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:27.1-31.2GHz,中心频率插损:1dB
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MMIC带通滤波器

频率:26-28.5GHz,中心频率插损:2.7dB
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低噪声放大器芯片

频率:26-40GHz,增益:23dBm,输出功率:5dBm,噪声:3.4,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:28-33GHz,增益:13dBm,输出功率:2dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:26-27GHz,增益:24dBm,输出功率:19dBm,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:26-32GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:26-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
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数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:26-38GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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°两路功分器芯片

频率:26-31GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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低噪声放大器模块

频率:26-40GHz,最大增益20dBm
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混频器

频率:28-40GHz,隔离度:35dB
HG128HB