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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-6.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:3-6GHz,LO/RF隔离度:42dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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滤波器芯片

高通频率:3-12GHz,损耗:2.2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益12dBm,输出功率:43dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益12dBm,输出功率:53dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益14dBm,输出功率:55dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:3.1-3.5GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:3.1-3.5GHz,最大增益25dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.4GHz,增益12dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益11.5dBm,输出功率:35.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.1GHz-3.5GHz,增益13.5dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:3.4GHz-3.9GHz,增益14dBm,输出功率:42.5dBm,射频端口:贴装焊接
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:3-4.7GHz,最大增益16dBm