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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:32-38GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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耦合器

30-40GHz双定向耦合器,耦合度20dB,插损2dB,2.92-K
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耦合器

30-40单定向耦合器,耦合度20dB,损耗2dB,2.92-K