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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:34-36GHz,损耗:1.4dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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表面贴装/安装电调衰减器

频率:3.5-7.4GHz,最大增益2.2dBm
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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GaAs FET开关

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,
ISW-2040DT