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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:3.1-3.4GHz,最大增益0.8dBm
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限幅器芯片

频率:5-8GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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耦合器

6-18GHz耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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耦合器

6000-18000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,耦合度30dB,SMA-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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双工器

双工器频率4650-4850&5000-5300MHz,微带针接口
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滤波器

双工器频率1700-2000&3300-6000MHz,SMA-K
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耦合器

5000-5350MHz耦合器,45dB,N-K
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耦合器

4000-8000MHz耦合器,10dB,SMA-K
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滤波器

双工器频率1600-2100&3300-4100MHz,SMA-K
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滤波器

双工器频率2000-2800&4200-5500MHz,SMA-K
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC134-4
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:1dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC134-6