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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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双工器

双工器频率5000-5300&5600-6000MHz,SMA-K
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双工器

双工器频率:400-2900&3100-6000MHz
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双工器

双工器频率5925-6151&6199-6425MHz
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双工器

双工器频率4300-4700&4800-5200MHz
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双工器

双工器频率5925-6151&6199-6425MHz
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

7-12.4GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K
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频分器

频分器频率DC-2000&2000-5000MHz,SMA-K
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耦合器

30-40GHz双定向耦合器,耦合度20dB,插损2dB,2.92-K
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耦合器

30-40单定向耦合器,耦合度20dB,损耗2dB,2.92-K