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GaAs超宽带分布式放大器

频率:1-20GHz,最大增益:12dB,输出功率:30dBm,10V,320mA
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低噪声放大器芯片

频率:1-3GHz,增益:15dBm,输出功率:13dBm,噪声:1.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:1-12GHz,增益:14.5dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:1-3GHz,最大增益15dBm
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无引线封装低噪声放大器

频率:1-4GHz,最大增益15dBm
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低噪声放大器

1-18GHz低噪声放大器,增益15dB,噪声系数3,功率10dBm,SMA-K
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低噪声放大器

830-850MHz低噪声放大器,增益12,噪声系数1,P-1功率37dBm,SMA-K
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驱动放大类芯片

频率:1-12GHz,最大增益:16dB,噪声系数:1.6dB,输出功率:18.5dBm,5V,45mA
HGC444
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GaN 内匹配功放管

频率:0.9-1.3GHz,最大增益:15dB,,28V
HG532FI