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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1
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GaAs限幅器

频率:1-4GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
ILM-0104A
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GaAs限幅器

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
ILM-0108C