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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益14dBm,输出功率:15W,射频端口:贴装焊接
CS0406-15
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益15.2dBm,输出功率:200W,射频端口:贴装焊接
CS0406-200
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:380GHz-480GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CD492
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宽带低噪声放大

频率:0.1-18GHz,最大增益:15dB,噪声系数:1.6dB,输出功率:16dBm,5V,36mA
HGC367
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驱动放大类芯片

频率:0.8-18GHz,最大增益:9.5dB,噪声系数:6dB,输出功率:20dBm,5V,105mA
HGC401
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放大+变频

频率:0.6-1.25GHz,最大增益:9dB,输出功率:16dBm
HGC630
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GaN 内匹配功放管

频率:0.8-2GHz,最大增益:11dB,,28V
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功率放大器

频率:758-821MHz,增益:15dB,输出功率:42dBm,28V,2000mA