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功率放大器芯片

频率:1.3-1.9GHz,增益:17dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
NC11127C-1319
...

功率放大器芯片

频率:1.3-1.9GHz,增益:9dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
NC11129C-1319
...

功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
NC11654C-0914P30
...

功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
NC11655C-0912P50
...

数控移相器芯片

频率:1-1.2GHz,损耗:4.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC1220C-112
...

数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:4.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC1252C-1214
...

数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC1252C-1214PD
...

数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
NC12113C-1214
...

数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
NC1352C-118
...

数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
NC13122C-120
...

数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC13132C-102
...

数控移相衰减集成芯片

频率:1.1-1.3GHz
NC15203C-1113SD
...

数控移相衰减集成芯片

频率:1.2-1.4GHz
NC15211C-1214SD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
NC1690C-0820

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