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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:9dBm,输出功率:13dBm,噪声:3,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:6-12GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:8.5dBm,输出功率:9.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-13GHz,增益:9dBm,输出功率:8dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:6-18GHz,增益:8dBm,输出功率:11dBm,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益8.5dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:6GHz-6GHz,增益8.5dBm,输出功率:28.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41121S-6
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中功率放大器芯片

频率:6-12GHz,最大增益:9dB,输出功率:23.5dBm,5V,0.185mA
HG125F3
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GaAs收发一体多功能芯片

频率:6-20GHz,最大增益:7dB,输出功率:13dBm芯片尺寸:3.4*6.15*0.1
AMMF0009S