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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
NC1351C-812
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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1666C-1540R
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
NC1679C-1220
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
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限幅器芯片

频率:6-22GHz,损耗:1,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1818C-622
...

限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1828C-1218
...

限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
NC1821C-1218
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB，均衡量：3dB
NC6006C-812
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隔离器

17-21GHz隔离器，2.92-K，损耗0.8，隔离15
DG5-17-21G-275
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2
...

GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.3dB,隔离度:53dB,
ISW6B2

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