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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC134-4
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单片均衡器

频率:6-18GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:5.5dB,芯片尺寸:0.85*0.8*0.1
AMEQ1X05S