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MEMS带通滤波器

频率:7-7.5GHz,中心频率插损:3dB
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MMIC高通滤波器

频率:7-29GHz
BWHF-7G
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低噪声放大器芯片

频率:7-13GHz,增益:11dBm,输出功率:21dBm,噪声:2.8,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:7-14GHz,增益:7dBm,输出功率:21dBm,噪声:3.5,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:7-15GHz,增益:18dBm,输出功率:21dBm,射频端口:键合金丝
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:7-25GHz,LO/RF隔离度:23dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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滤波器芯片

高通频率:7-40GHz,损耗:2.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:7-13GHz,最大增益19dBm
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一分二功分器芯片

频率:7-13GHz,插入损耗:0.55dB,隔离度:25dB
HG125GB-1