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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

17-21GHz隔离器,2.92-K,损耗0.8,隔离15
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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单片均衡器

频率:18-40GHz,插入损耗:0.8dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC136-4L
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2
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单片均衡器

频率:8-12GHz,插入损耗:0.95dB,接口:键合金丝,均衡量:3dB,芯片尺寸:1.0*0.8*0.1
AMEQ1X04S