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带宽
(MHz)
0.0061~0.0131
(11)
0.0135~0.0268
(10)
0.0271~0.1374
(7)
0.235~0.5962
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0.6908~7
(6)
-
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中心频率插损
(dB)
0.2~0.92
(17)
1~2
(70)
2.03~3
(23)
3.36~6
(17)
6.8~7.38
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边频最大损耗
(dB)
0.5~1.5
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1.6~1.9
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输出功率
(dBm)
8~15
(23)
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20~31
(7)
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(13)
45~51
(13)
-
筛选
耦合度
(dB)
10
(3)
20
(1)
-
筛选
插入损耗
(dB)
0.15~0.55
(17)
0.6~1.1
(19)
1.2~2.5
(12)
4~6
(10)
7~9
(3)
-
筛选
隔离度
(dB)
14~16
(4)
17~20
(18)
22~30
(4)
32~38
(2)
-
筛选
相位
0º
(1)
90
(2)
噪声系数
(dB)
0.5~1
(5)
1.2~1.6
(8)
1.7~2.2
(9)
2.3~3.5
(11)
4.5~5
(5)
-
筛选
抑制度
(dB)
20~25
(6)
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45~60
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-
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功率容量
(W)
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(dB)
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8
(2)
12
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2
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步进
(d)
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0.5dB
(1)
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最大衰减
(dB)
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(2)
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带宽类别
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工作电流
(mA)
0.08~45
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47~64
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工作电压
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脉冲
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限幅电平
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开关结构
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(2)
分配路数
(路)
0~2
(16)
3~4
(8)
8~10
(4)
-
筛选
插入损耗(不含分配损耗)
(dB)
0.2~0.8
(5)
0.9~1.2
(8)
1.3~1.6
(3)
1.8~4
(3)
4.5~4.5
(1)
-
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LO/RF隔离度
(dB)
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(3)
15
(1)
20
(2)
36
(1)
-
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变频损耗
(dB)
10
(3)
12
(3)
11
(1)
3
(1)
2.6
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开关时间
(ns)
0
(1)
10
(1)
-
筛选
位数
6
(1)
6位
(2)
筛选项:
820~1000
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低噪声放大器芯片
频率:1-8GHz,增益:21dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC1011C-108
低噪声放大器芯片
频率:1-12GHz,增益:14.5dBm,输出功率:16dBm,噪声:1.6,射频端口:键合金丝
型号:
NC10160C-112
功率放大器芯片
频率:1-1.6GHz,增益:31dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC1170C-1216A
功率放大器芯片
频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC11654C-0914P30
功率放大器芯片
频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
型号:
NC11655C-0912P50
数控移相器芯片
频率:1-1.2GHz,损耗:4.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
型号:
NC1220C-112
数控衰减器芯片
频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
型号:
NC1352C-118
数控衰减器芯片
频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
型号:
NC13122C-120
数控衰减器芯片
频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
型号:
NC13132C-102
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
型号:
NC1634C-104
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
型号:
NC16104C-112
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
型号:
NC1702C-1537
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
型号:
NC1702C-1537M
I/Q 混频器芯片
单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
型号:
NC1736C-102
带本振驱动双平衡混频器芯片
单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
型号:
NC1744C-103
带本振驱动双平衡混频器芯片
单片混频多功能电路,频率:1-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:12dB
型号:
NC1744C-103M
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