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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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°电桥芯片

频率:1.4-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.3dB,隔离度:10dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:0.9-1.2GHz,最大增益6dBm
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:1-1.2GHz,最大增益5dBm
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:1.2-1.4GHz,最大增益7dBm
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:1.2-1.4GHz,最大增益6dBm
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数控移相器模块

频率:1.2-1.6GHz,最大增益6.8dBm
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数控移相器模块

频率:1.5-1.8GHz,最大增益8dBm
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表面贴装/安装电调衰减器

频率:1-2GHz,最大增益4.5dBm
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数控衰减器模块

频率:1-8GHz,最大增益7dBm
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数控衰减器模块

频率:1-18GHz,最大增益7dBm
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数控衰减器模块

频率:1-18GHz,最大增益9dBm
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表面贴装功率分配/合成器

频率:1.2-1.4GHz,最大增益1.2dBm
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝