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数控移相器芯片

频率:1.5-1.8GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-18GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:10
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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1-4GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.5-4.5GHz,LO/RF隔离度:31dB,变频损耗:8.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.8-5GHz,LO/RF隔离度:26dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.8-5GHz,LO/RF隔离度:26dB,变频损耗:9dB