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数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.72dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.8,限幅电平:17dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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耦合器

9-10GHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,
ISW3B2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2