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数控衰减器芯片

频率:1-20GHz,损耗:0.7dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:1.75
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:1.5-4.5GHz,损耗:0.5,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

960-1250MHz隔离器,SMA-K,通过功率100W
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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隔离器

960-1230MHz隔离器,N-K,100W
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耦合器

1500-2000MHz耦合器,20dB,微带半圆孔,30W
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC131-4
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单片均衡器

频率:1-18GHz,插入损耗:0.7dB,接口:键合金丝,均衡量:6dB,
HGC131-6
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,插入损耗:0.4dB,接口:键合金丝
HGC181-8
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限幅器芯片

频率:1-2GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝
HGC181-10
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限幅器芯片

频率:1-12GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝,尺寸:1×0.6mm
HG125X6
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限幅器芯片

频率:1-12GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝,尺寸:1×0.5mm
HG126X3
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限幅器芯片

频率:1-22GHz,插入损耗:0.5dB,接口:键合金丝,尺寸:1.2×0.75mm
HG127X