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-
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2 (5)
4 (2)
-
4位及以下 (1)
筛选项:
...

数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1375C-1923
...

数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1375C-1923M
...

数控衰减器芯片

频率:24-30GHz,损耗:3.8dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1395C-2430
...

数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1399C-2634
...

数控衰减器芯片

频率:26-34GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC1399C-2634M
...

数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
NC13100C-3240
...

电调衰减器芯片

频率:12-22GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1389C-1222
...

电调衰减器芯片

频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1390C-1830
...

电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
NC1391C-2040
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1627C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
...

表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-2GHz，最大增益3.1dBm
NC3306S-102

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