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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:19-23GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-3GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:5-7.5GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:5-7.5GHz,最大增益3.5dBm
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125