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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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射频开关

DC-40000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1K22440
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射频开关

DC-40000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1K21240T
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射频开关

DC-40000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1K21240