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数控移相器芯片

频率:4-7GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控移相器芯片

频率:4-14GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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限幅器芯片

频率:1-8GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:8-11GHz,损耗:0.35,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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均衡器芯片

频率:2-12GHz,损耗:0.4dB,均衡量:4dB
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射频开关

DC-6000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22406
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耦合器

20-1000MHz耦合器,50dB,150W
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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隔离器

9925-10325MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

10025-10225MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

14200-15200MHz隔离器,SMA-K/FD,隔离20,损耗0.4
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隔离器

9-10GHz隔离器,SMA-K/FD,隔离22,损耗0.4
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耦合器

500-2700MHz耦合器,耦合度40dB,N-K,功率容量100W
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耦合器

13236-13276MHz耦合器,耦合度60dB,SMA-K
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耦合器

5380-5420MHz耦合器,耦合度60dB,SMA-K