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电调衰减器芯片

频率:20-40GHz,损耗:4dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:1-1.2GHz,最大增益5dBm
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:2-2.5GHz,最大增益4.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-2GHz,最大增益3.1dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-3GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-4GHz,最大增益3.5dBm
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表面贴装/安装数控衰减器

频率:0-5GHz,最大增益4dBm