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滤波器模块

频率:0-3330MHz
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滤波器模块

频率:12.5-17.5MHz
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滤波器模块

频率:45-55MHz
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滤波器模块

频率:1000-1040MHz
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数控衰减器芯片

频率:0-9GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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电调衰减器芯片

频率:6-8GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:36
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电调衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:25
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns