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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:2-6.5GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:2-3GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:2-6GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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表面贴装无源双平衡混频器

频率:1.9-2.2GHz,最大增益9dBm
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表面贴装I/Q 混频器

频率:2-3GHz,最大增益10dBm
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混频器

频率:2-4GHz,隔离度:34dB
HG123HB
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混频器

频率:2-6GHz,隔离度:40dB芯片尺寸:1.8*1.0*0.1
AMMX0002S
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双平衡混频器

频率:2-8.5GHz,隔离度:48dB
SIM086SP3B