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中电科十三所 (25)
串专并FET驱动器 (25)
<±5mA (25)
筛选项:
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

16 位串转并，互补输出
NC2045C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并，互补输出输入、电源和地在左侧加电)
NC2044C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并，互补输出(输入、电源和地下加电)
NC2044-1C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

8 位串转并，低使能，互补输出
NC2075C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

12 位串转并，3 个独立位
NC2058C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

12 位串转并，低使能，上电复位
NC20100C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

13 位串转并，低使能，带串出,上电复位
NC2099C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

16 位串转并，二选一，2 个独立位
NC2054C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

20 位串转并，二选一，低使能，输出控制位与NC2073不同
NC2097C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

20 位串转并，二选一，4 个独立位
NC2057C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使能，有回读功能
NC2059-1C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使能，有回读功能
NC2059-1CM
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使能
NC2078C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使能，串入数据控制位在数列的两头
NC2091C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使 能，串入数据控制位在数列 的两头, PAD 布局与 NC2091C 不同
NC2091-1C
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CMOS 工艺 串转并FET 驱动器

26 位串转并，二选一，低使能,串入数据的2 位控制位在数列的开头
NC2092C

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