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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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开关芯片

频率:5-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:45dB,
HG127K2
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:44dB,
ISW2B1
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210G
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单刀双掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.3*0.9*0.1
AMSW0006S