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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,
HGC121
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:60dB,
HGC1002LP4
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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开关芯片

频率:0.5-5GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:70dB,
HG128K2
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:45dB,
ISW2H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW2
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:52dB,
ISW2A