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筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
NC16112C-105PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
...

反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HG127KC
...

GaAs FET开关

频率:0-45GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
ISW-0045DT
...

单刀双掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸：1.5*1.5*0.1
AMSW0003S
...

单刀双掷开关

频率:2-18GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸：1.3*0.9*0.1
AMSW0006S
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm
SIS029

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