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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,
HGC117
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
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GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:55dB,
ISW-00203T
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GaAsPIN开关

频率:0.05-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,
ISW4H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-26GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,
ISW4
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:59dB,
ISW410H
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单刀单掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸:1.5*1.0*0.1
AMSW0004S