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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,

型号:HGC117

频率:0.05-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,

型号:ISW4H

频率:0.1-26GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,

型号:ISW4

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:59dB,