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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,

型号:ISW2B2

频率:10-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:41dB,

型号:ISW3B2

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,

型号:ISW4B2