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-
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-
2 (24)
-
电子开关 (13)
8~10 (15)
12~15 (6)
20~30 (4)
-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
NC1644C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC16102C-4050
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112

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