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筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
NC1602C-118A
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
...

匹配式 SPT

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC115
...

全正电，匹配式 SPT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC120
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3
...

单刀单掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸：1.5*1.0*0.1
AMSW0004S
...

单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1
AMSW0001S

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