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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,

型号:HGC125

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,

型号:HGC126

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,

型号:HGC121

频率:0-20GHz,插入损耗:2.8dB,隔离度:45dB,

型号:HGC116

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,

型号:HGC122