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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,

频率:0.1-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:60dB,

型号:HGC117

频率:2-20GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:50dB,

型号:ISW3B1

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,

型号:ISW4B2

频率:10-40GHz,插入损耗:1.3dB,隔离度:53dB,

型号:ISW6B2