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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:50dB,
ISW-0018ST
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
ISW-0006DT
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GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT
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GaAs FET开关

频率:0-45GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
ISW-0045DT
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:45dB,
ISW2H
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW3H
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单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸:1.9*1.0*0.1
AMSW0001S