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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:45dB,
ISW2H