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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
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GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:55dB,
ISW-00203T
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:52dB,
ISW-00204T
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GaAsPIN开关

频率:0.05-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:54dB,
ISW4H
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单刀双掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:40dB,芯片尺寸:1.5*1.5*0.1
AMSW0003S