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低噪声放大器芯片

频率:2.2-4GHz,增益:32dBm,输出功率:20dBm,噪声:1.2,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:17dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.7GHz,增益:12dBm,输出功率:24dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-2.9GHz,增益:22dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.3GHz,增益:25dBm,输出功率:30dBm,射频端口:键合金丝
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益13.5dBm,输出功率:29.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4133S-2
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:2.3GHz-2.3GHz,增益11.5dBm,输出功率:31.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC4142S-2
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压控振荡器

频率:2.5-5.7GHz,输出功率:15dBm,相位噪声@100KHz:-106dBc/Hz,5V,76mA
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功率放大器芯片

频率:2.2-4.2GHz,最大增益:26.5dB,输出功率:27dBm,5/0.37V
HG123F4
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功率放大器

频率:2555-2655MHz,增益:45dB,输出功率:33dBm,28V,1000mA
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功率放大器

频率:2300-2400MHz,增益:45dB,输出功率:33dBm,28V,1000mA