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Si 脉冲功率晶体管

频率:0.96GHz-1.215GHz,增益7.5dBm,输出功率:85W,射频端口:贴装焊接
3DA518
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功率放大器芯片

频率:1-1.6GHz,增益:31dBm,输出功率:29dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.9-1.4GHz,增益:29dBm,输出功率:45dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
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预匹配功率管

频率:0.42GHz-0.48GHz,增益17dBm,输出功率:58.5dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.42GHz-0.48GHz,增益17dBm,输出功率:61dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-2GHz,增益10dBm,输出功率:48dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:0.9GHz-1.2GHz,增益16dBm,输出功率:51dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1GHz-2GHz,增益11dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1.1GHz-1.4GHz,增益14dBm,输出功率:49.5dBm,射频端口:贴装焊接
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预匹配功率管

频率:1.1GHz-1.7GHz,增益14dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:0.9-2GHz,最大增益12dBm
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GaN 功率放大器载体

频率:1.1-1.4GHz,最大增益14dBm
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GaN 功率放大器模块

频率:0.8-2GHz,最大增益9dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:1.057GHz-1.077GHz,增益15dBm,输出功率:36dBm,射频端口:贴装焊接
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Si LDMOS 功率晶体管

频率:485GHz-606GHz,增益13dBm,输出功率:10W,射频端口:贴装焊接
CS0406-10