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°两路功分器芯片

频率:2-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:16dB
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:1-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:14dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:0.8-2.7GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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°三路功分器芯片

频率:3.5-6.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:14dB
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表面贴装功率分配/合成器

频率:2-6GHz,最大增益1.5dBm
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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功分器

2-8GHz两路0°功分器,SMA-K