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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8