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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A