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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°两路功分器芯片

频率:2-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:17dB
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°三路功分器芯片

频率:3.5-6.5GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:14dB
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表面贴装功率分配/合成器

频率:2-6GHz,最大增益1.5dBm
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功分器

300-6000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-6GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

400-6000MHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

400-6000MHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

500-6000MHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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功分器

2000-6000MHz两路0°功分器,SMA-K加上接头
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功分器

3-6GHz两路0°功分器,SMA-K
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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功分器

2000-6000MHz两路0°功分器,SMA-K