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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns

频率:18-26GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:19dB

频率:18-26GHz，最大增益1.2dBm

频率:16-28GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:25dB

型号:HG127G

17-21GHz隔离器，2.92-K，损耗0.8，隔离15

17700-21200两路0°功分器，SMA-K

频率:12-30GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:20dB

型号:HGC159

频率:18-26GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:24dB

频率:18-26GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:25dB,芯片尺寸：1.05*1.2*0.1

频率:18-26GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:20dB,芯片尺寸：1.65*1.05*0.1

品牌	中电科十三所 (3) 华光瑞芯 (1) 康迈微 (2) 中科海高 (1) 芯谷微电子 (1) 国芯微电子 (2)
最小使用频率(MHz)	18000 (6) 16000 (1) 17000 (1) 17700 (1) 12000 (1)	-
最大使用频率(MHz)	30000 (2) 26000 (5) 28000 (1) 21000 (1) 21200 (1)	-
接口形式	2.92 (1) SMA (1)
类别	单刀双掷 (1) 单片电桥 (1) 常规功分器/合成器 (1) 单片功分器 (5)
插入损耗(dB)	2 (1) 0.8 (1)	-
隔离度(dB)	15~18 (2) 19~20 (4) 24~25 (3) 32~32 (1)	-
相位	0º (1)
功率容量(W)	2 (4) 10 (1)	-
开关时间(ns)	10 (1)	-
开关结构	电子开关 (1)
插入损耗(不含分配损耗)(dB)	0.4~0.5 (2) 0.6~0.7 (3) 0.9~1.2 (2) 1.4~1.4 (1)	-
分配路数(路)	2 (6) 4 (1)	-