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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2